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使得电路具有了低通滤波器效应。幅频特性曲线如下图。幅频特性曲线后说一下，高频增强电路与上面不同的是，电容这一次是并联在发射极上的。同样，发射极电阻同样具有频率特性，所以导致三极管放大也有频率效应。频率越高，因为电容的影响，导致电容与电阻并联的阻抗也就越小，所以电路的增益Rc/Re也就越大。使得电路具有了高频增应。幅频特性曲线此电路一般用于音频控制以及FM发射电路高频预加重电路中。注意，此电路并不能把增益变成无限大。
手机充电池含有的铅能破坏血液循环系统、消化系统和神经系统，镉则会造成肾损害、骨软化等重症
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(FAIRCHILD仙童，TOSHIBA东芝，ON，ST，INFINEON英飞凌，NS国半，长电，IR等等品牌三极管
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两线制变送器因为信号起点电流为4mA.DC，为变送器供给了静态作业电流，一起外表电气零点为4mA.DC，不与机械零点重合，这种“活零点”有利于辨认断电和断线等毛病。并且两线制还便于运用安全栅,利于安全防爆。两线制变送器如图一所示，其供电为24V.DC，输出信号为4-20mA.DC，负载电阻为250Ω，24V电源的负线电位，它即是信号公共线，关于智能变送器还可在4-20mA.DC信号上加载HART协议的FSK键控信号。
当输入电压突然由+VF变为-VR时P区存储的电子和N区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，PN结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，PN结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示PN结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。
未投入使用的变压器可以通过试验来判断是否正常。试验项目有:绕组电阻测量，电压变比测试，绝缘电阻测量，绕组变形测试，绝缘油测试，局放试验等来判断变压器是否正常。运行中的变压器如果有不正常的现象也可以停电后通过试验来判断是否正常。试验结果与出厂试验或上一次试验结果做比较，不应有太大的偏差。具体的值和变压器容量有关系，在这就不多讲了。微型变压器。电压比较低容量比较小或电子设备上用的变压器可以通过观察有无放电痕迹和测量一二次电压是否正常的方式判断好坏。
INCP命令的意思不明白可以看下图所示变址寄存器FX系列有16个变址寄存器，V0~V7，Z0~Z7，在传送和比较指令中变址寄存器V和Z用来在程序执行过程中修改软元件的编号，循环程序需要使用的变址寄存器。如下图所示上图中Z1的值为4，D6Z1相当于软元件D10（6+4）,V0的值为50，K100V0的意思就是相当于K150（100+50）。当X12接通，常数50被送到V0,4被送到Z1，ADD指令完成运算K100V0+D6Z1的值并送到D7Z1中取。