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接线头处不设过路盒电线铺设时可能出现长度不够，需要接线的情况。这时一些不规范的施工队，往往会直接接完线后套入管子内，而不加上过路盒。要知道接口处往往是容易出现问题的地方，将线头留在管内的做法将使得后期出现问题时，检修非常不易。墙面开槽“野蛮操作”电路以及部分水路铺设都需在墙面开槽埋管，而要知道不是所有的墙面都适合开槽的，就比如承重墙。不少装修工人往往不假思索，开槽时野蛮施工，在承重墙上开槽，很有可能破坏建筑的承重结构。
基带传输与频带传输基带传输是按照数字信号原有的波形（以脉冲形式）在信道上直接传输，它要求信道具有较宽的通频带。基带传输不需要调制解调，设备花费少，适用于较小范围的数据传输。基带传输时，通常对数字信号进行一定的编码，常用数据编码方法有非归零码NRZ、曼彻斯特编码和差动曼彻斯特编码等。后两种编码不含直流分量、包含时钟脉冲、便于双方自同步，所以应用广泛。频带传输是一种采用调制解调技术的传输形式。发送端采用调制手段，对数字信号进行某种变换，将代表数据的二进制“1”和“0”，变换成具有一定频带范围的模拟信号，以适应在模拟信道上传输；接收端通过解调手段进行相反变换，把模拟的调制信号复原为“1”或“0”。
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单相电容启动与运行式异步电动机的两只电容器并联后与启动绕组相连；见下图所示。电动机启动后，电容量较大的一只电容器在离心开关作用下与电路断开；离心开关实物图见下图所示。离心开关的工作原理，即在电机启动后，转速逐渐上升到电机额定转速的70％后，由于离心锤的反作用力，将串联在启动绕组线圈中的微动开关触点分离开，使其启动电容器失去作用。电容量较小的一只电容器仍然接在电路中运行，其工作原理如上图所示；这种结构的单相电动机具有较好的启动性能与运行性能，有较高的功率因数和效率，适用于带负荷启动和要求低噪声的负载，如家用电器、泵、小型机床等。
光电二极管也是由半导体PN结构成的。PN结受到光照射后，也能产生电子和空穴对，在半导体中增加了少数载流子的数量，这些载流子在反向偏置时，就形成漂移电流，使反向电流增大，光照强度不同，反向电流的大小也不同。所以电路中的电流将随光照的强弱而改变，这样的二极管称为光电二极管。可以用它制作光控元件，其符号如下图所示。常见的太阳能电池也是光电管的一种，太阳能电池不需要外加电源，它能够直接将光能转变成电能。下表所示的是2CU型两种硅光电管的参数。
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是能在自己熟练理解的基础上画出来，眼看千遍不如手动一遍，多动手画。基本电路的储备是十分重要的。快速看懂复杂的电气原理图还需要一定要读图技巧。1，快速看图：主回路～控制回路。先看主回路，后看控制回路。主回路动作原理相对很简单，可以快速的把握整个电路是做什么的，这样比较好联想到类似的基本控制电路，这样再去看二次控制回路就相对简单多了。2，快速看图：从上到下看图。正规的电路图都是从上到下逐步阐明电路的保护，控制和原理的。
如果没有这个二极管的，因为输出和电源端没有上拉电阻，输出端和电源端是完全开路的，所以它的电阻，一定大于输出对地端，从这里也可以猜到到这是NPN型传感器PNP三极管和输出PNP型三极管，导通条件和NPN型的反过来了，要求VEVBVC，所以它可以接到电源这头，直接用来断开电源V+输出，上图是一个PNP的OC输出原理图，和NPN刚好颠倒，它的发射极E挂到电源VCC上了，只要通电了，IO输入高电平，则满足导通条件，OUT和VCC正极连接，OUT也将输出高电平，当IO输入低电平，三极管截止，OUT将变成低电平。
如果后者的优先级比正在执行的OB的优先级高，将中止当前的正在处理的OB，对终端的控制：时间中断和延时中断有专用的允许处理中断和禁止中断的系统功能SFC。SFC39“DIS_INT”用来禁止中断和异步错误处理，可以禁止所有中断，有选择的禁用某些优先级范围的中断，或者只禁止的某个中断；SF0“EN_INT”用来新的中断和异步错误处理，中断是指允许处理中断，做好了在中断事件出现时执行对应的组织块的准备。
在相同一次额定电流、相同额定输出容量的情况下，电流互感器二次电流采用1A或5A，其结构和特性有较大的不同。采用1A比采用5A，其结构和特性有较大的不同。采用1A比采用5A的电流互感器匝数比大5倍，二次绕组匝数大5倍，开路电压高，内阻大，励磁电流小，制造的难度大，价格略高。但采用1A可以大幅度降低电缆中的有功损耗(降低到采用5A的1/25)，在相同条件下，可增加电流回路电缆的允许长度。电流互感器的二次额定电流采用1A或是5A，需经技术经济比较确定。
电机的绝缘等级是指其所用绝缘材料的耐热等级，分H级。绝缘的温度等级E级B级F级H级允许温度（℃）0绕组温升限值（K）性能参考温度（℃）：环境温度是30℃，电机温度是80℃,则温升就是50K。电机上的温升,是指在规定的环境温度下(一般定为35℃？)，绕组的允许温升。又如：上的温升为60K，就表明在环境温度为35℃时，绕组的温升不得超过60K，既绕组的温度不得超过95℃。