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惠州回收功放管
TPS4H000B、25LC256T-I/SN、INA826AIDGKR、ATMEGA329PA-AU、BSP752T、SAK-TC277TP- 64F200S、ISO7721DR、STH13N120K5-2AG、5M570ZF256C5N、S912ZVCA19F0MKH、STM32F429VET6、 IPD100N04S4L-02、I、MCIMX535DVP1C2R2、VN750PTTR-E、TLE4250-2G、TPS62740DSSR、 XCF16PFSG48C、1、BSS138N、R2G、TPS3701DDCR、B、FDD5614P、1、TLV62565DBVR、PIC16F1823-I/SL、ADF4351BCPZ、FDC6330L、MCIMX6U5DVM10AC、 TPS62823DLCR、STM32F405RGT7、SN65DP159RGZR、ADAU1452WBCPZ、IRS2092STRPBF、1、 STM32H745XIH6、L6206PD、5M1270ZF324C5N
正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A的电流，功耗为（3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。
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